IGBT was sind IGBT Bauteile
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch
insulated-
gate
bipolar
transistor, kurz IGBT)
Ein Transistor für sehr hohe Ströme
Unter Wikipedia
http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_isolierter_Gate-Elektrode
Und sehen so als Bauteile aus
Vorteile Nachteile:
- Nachteilig sind die gegenüber Leistungs-MOSFETs großen Schaltverluste, besonders beim Abschalten (Stromschweif). Die markanten Vorteile von IGBTs sind die hohen Spannungs- und Stromgrenzen: Spannungen von bis zu 6500 V und Ströme von bis zu 3600 A, bei einer Leistung von bis zu 100 MW. Die durch die Schaltverluste begrenzte maximale Frequenz beträgt um die 200 kHz
Als Bauteile zu kaufen unter @Google:
IGBT
Konfiguration = Dual Emitter, Single
Dauer-Kollektorstrom max. = 258 A
Kollektor-Emitter- = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Channel-Typ = N
Montage-Typ = Schraubmontage
Gehäusegröße = SOT-227
Pinanzahl = 4
Schaltgeschwindigkeit = 30kHz
Verlustleistung max. = 893 W
TT162N08KOF Power transistor semiconductor IGBT Darlington Transistor
Vom Verkäufer generalüberholt
Hier die Leistungsdaten
http://docs-europe.electrocomponents.com/webdocs/100a/0900766b8100a469.pdf
FEATURES
• Trench IGBT technology with positive
temperature coefficient
• Square RBSOA
• 10 μs short circuit capability
• HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse
recovery
• TJ maximum = 150 °C
• Fully isolated package
• Very low internal inductance ( 5 nH typical)
• Industry standard outline
• UL approved file E78996
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Verlustleistung: Power dissipation PD 221 Watt bei 174 Ampere
? 1 promille
