IGBT was sind IGBT Bauteile

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT)
Ein Transistor für sehr hohe Ströme


Unter Wikipedia http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_isolierter_Gate-Elektrode



Und sehen so als Bauteile aus


Vorteile Nachteile:

• Nachteilig sind die gegenüber Leistungs-MOSFETs großen Schaltverluste, besonders beim Abschalten (Stromschweif). Die markanten Vorteile von IGBTs sind die hohen Spannungs- und Stromgrenzen: Spannungen von bis zu 6500 V und Ströme von bis zu 3600 A, bei einer Leistung von bis zu 100 MW. Die durch die Schaltverluste begrenzte maximale Frequenz beträgt um die 200 kHz

Als Bauteile zu kaufen unter @Google: IGBT

IGBT 1200V 100A Einfach m. Diode SOT227 - VS-GT100DA120U

Konfiguration = Dual Emitter, Single
Dauer-Kollektorstrom max. = 258 A
Kollektor-Emitter- = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Channel-Typ = N
Montage-Typ = Schraubmontage
Gehäusegröße = SOT-227
Pinanzahl = 4
Schaltgeschwindigkeit = 30kHz
Verlustleistung max. = 893 W

TT162N08KOF Power transistor semiconductor IGBT Darlington Transistor

Vom Verkäufer generalüberholt




Hier die Leistungsdaten
http://docs-europe.electrocomponents.com/webdocs/100a/0900766b8100a469.pdf
FEATURES
• Trench IGBT technology with positive
temperature coefficient
• Square RBSOA
• 10 μs short circuit capability
• HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse
recovery
• TJ maximum = 150 °C
• Fully isolated package
• Very low internal inductance ( 5 nH typical)
• Industry standard outline
• UL approved file E78996
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Verlustleistung: Power dissipation PD 221 Watt bei 174 Ampere
? 1 promille